hello大家好，我是城乡经济网小晟来为大家解答以上问题，自主存储芯片测评，35年技术积累闪存搭电脑很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！
在今天，我们生活已经离不开闪存，无论是电脑、笔记本电脑里的固态硬盘，还是手机、智能手表的ROM，本质都是闪存存储器。不过闪存从诞生到今天普及并非一帆风顺的，它经过多次技术迭代才有今天的局面，那它到底如何发展成今天的主流存储器的呢？
用芯片存储数据
说到计算机存储历史，相信很多人会首先想到的是IBM在1956年制造了第一块硬盘350RAMAC，它使用了50片直径为24英寸的磁盘实现了5MB的存储空间，从此人类一直使用以硬盘为主存储计算机数据，直到二十年来才从硬盘慢慢转移到固态硬盘，用半导体芯片存储数据。
其实，早在上世纪六七十年代，人类就开始尝试使用芯片存储数据，在1967年贝尔实验室发明了浮栅MOSFET，奠定了EPROM、EEPROM的基础。到了1971年，英特尔工程师Dov Frohman发明了EPROM，EPROM全称是Erasable Programmable Read Only Memory，意为“可擦除可编程只读存储器”，它是一组浮栅晶体管，采用了采用双层栅结构，在掉电时也不会丢失数据，是一种非易失性存储器（相对应，内存RAM是一种易失性存储器），不过EPROM在写入数据前需要使用强紫外线照射来擦除，因此EPROM典型特性是有一个透明的玻璃窗口。
不过EPROM使用起来实在太麻烦了，在1977年休斯飞机（Hughes Aircraft）工程师Eli Harari发明了首个实用型EEPROM 。EEPROM是Electrically Erasable Programmable read only memory的简写，意为“可擦除可编程只读存储器”，它同样是一种非易失性的，但是不需要使用紫外光擦除数据，只需要在特定引脚上施加高电压即可写入或擦除数据，易用性得到大大提高，电脑主板的BIOS就是保存在EEPROM上的。
主板上的EEPROM
闪存的诞生
在1984年，东芝超大规模集成电路（ULSI）研究所工程师舛冈富士雄（Fujio Masuoka）在年底举办的IEDM的会议上，发表标题为《Flash Memory》（闪存）的论文，揭开了使用半导体芯片大规模存储数据的序幕。因此舛冈富士雄被视为闪存之父，他本人还在1997年被IEEE授予特殊贡献奖，东芝被视为闪存发明公司。2019年原东芝存储器正式更名为铠侠，产品依旧采用了原厂高品质闪存颗粒，并在日本四日市、北上市建立多座Fab，其中包括全球最大的闪存工厂之一，目前闪存产量占全球产能的30%，铠侠闪存市场排名多年来保持着全球第二。
关于舛冈富士雄发明闪存的新闻报道
不过闪存技术墙内开花墙外香，东芝与英特尔达成协议，授权后者制造闪存技术相关产品，于是英特尔在1988年推出了首块商用闪存芯片，容量为256K bit，被内嵌在录音机当中。
Intel博物馆展示的闪存存储卡，不过图中已经是90年代产品
但是东芝发明闪存、英特尔生产闪存只是闪存发明史的一半，因为在1987年舛冈富士雄发明了另一种闪存——NAND，也就是今天电脑SSD、相机SD存储卡、手机ROM所用的闪存技术，至今历史已经有35年了，1984年发明的闪存技术名字叫做NOR。在1989年东芝制造出了第一颗NAND芯片并投入市场，到了1991年东芝宣布与IBM公司建立战略合作伙伴关系，开发固态硬盘代替机械硬盘，并着手研发16Mbit产品。
NOR与NAND角逐
在上世纪90年代NAND与NOR是两种并驾齐驱的闪存技术，但是今天在谈论SSD、CFexprss Type B存储卡时已经不会提及NOR一词，那NAND是如何战胜NOR，取得主流地位的呢，这需要从二者技术原理、性能差异说起。下图是NAND与NOR的存储单元cell结构对比图，NAND的Bit line是一些连续晶体管，cell大小为4F²，而NOR的Bit line是一个相对完整的单元，cell大小为10 F²，也就是说要提供相同存储空间，NAND消耗的晶体管比NOR更少，成本更低。
除了低成本外，NAND还有不少优势，它在写入文件时无需将目标块内所有的存储单元都写为“0”，因此写入速度更快；寿命长，NAND每个块的可以做到一百万次擦写次数，NOR只有十万次。但是NOR也有不少优势，它不但读取速度更高，而且支持XIP（Excution In Place）技术，NOR上的数据可以跳过RAM，直接被CPU读取，延迟更低；受交换现象问题影响较少，数据可靠性更高。
显然NOR与NAND各有优势，而且NOR技术更早实现量产，因此闪存技术发展的初期，更多产品是采用NOR闪存的，比如在1991年德国科隆Photokina摄影器材展上，柯达展示首款数码单反相机DCS100，它搭载了一块130万像素的CCD传感器，但是拍摄的照片无法存储机身内部，而是通过数据线传输到外置的数据单元（DSU）上，该单元核心就是200Mb的NOR闪存芯片。
柯达DSC100
为了争夺前景美好的闪存市场，各家厂商竞争使出浑身解数，其标志性无疑是各项基于闪存技术的存储卡标准出台——在1992年闪迪抢先推出了PCMCIA闪存卡，作为PC外置存储器使用，接着到了1994年闪迪推出了CF存储卡（Compact Flash），它接口与PCMCIA兼容，但是尺寸更小，长宽为43*36mm，更适合数码相机等移动设备使用。到了1997年闪迪还联手西门子制定了MMC卡（MultiMedia Card），它只有一张邮票大小——24*32 mm*1.4 mm，针脚采用导轨式设计，而且数量只有7个，更为适合手机使用，比如说西门子的神机6688就支持MMC卡。
PCMCIA卡
在面对自大洋对岸的挑战，东芝也开始制定存储卡标准，在1995年推出了SmartMedia卡，它造型与软盘相似，因此初期命名为固态软盘卡（SSFDC），但尺寸要小很多，只有45.0*37.0*0.76mm，使用了东芝出品的NAND闪存。在2002年奥林巴斯和富士针对数码相机推出了XD-PICTURE CARD，也就是常说XD卡，大小为20*25 *1.78mm，由东芝负责生产。
SmartMedia卡
但是上述存储卡标准谁都没有笑到最后，在1998年东芝、松下与闪迪联合推出了SD卡，它大小为32m*24*2.1mm，只比MMC厚了0.7mm，卡槽向上兼容MMC。它的出现成功淘汰了MMC、SM以及索尼所主导的记忆棒，而且衍生出Mini SD、microSD标准，打败了XD、索尼短棒，在今天SD、microSD依然是最受数码相机、运动相机、数码摄像机欢迎的存储卡，生命力非常顽强。
在闪存卡标准之争的同时，闪存也在急速发展，在1997年英特尔发明了MLC技术，2001年东芝与闪迪宣布推出了1Gb MLC NAND颗粒，其容量是英特尔首个NOR芯片的4096倍。同年三星推出了512Gb NAND颗粒，自从天平不可动摇地滑向写入速度更快、容量更大的NAND。加上MP3播放器、智能手机、数码相机等设备在20世纪90年代末到21世纪头10年大发展，需要容量更大的闪存芯片，决定了赢得主流市场是NAND。
SLC到TLC
要增加NAND芯片容量最简单方法是增加晶体管，但这意味着增加成本，那有什么不增加晶体管数量，或不怎么晶体管数量下提高容量呢？前文提及英特尔MLC技术就能做到，MLC是Multi Level Cell简写，意思为多层式储存，是对应SLC（Single Level Cell，单层式储存）的命名方式，它是将两个单位的信息存入同一个cell单元，再通过不同电位的电荷去精准读取数据，4种电压、1个晶体管就可存储2bit数据，比SLC翻倍。在2008年时候东芝宣布MLC NAND固态硬盘投入大规模量产，共有64GB、128GB两个容量以及1.8英寸、2.5英寸不同大小，凭借SATA II接口与高速闪存芯片，读写速度分别达到了100MB/s和40MB/s，而东芝Dynabook SS RX1成为了首款配备MLC NAND固态硬盘的电脑，自从PC开始快速普及SSD。
Dynabook SS RX1内置的MLC SSD
基于MLC技术原理，后来发展出TLC（Trinary Level Cell，三层式储存）、QLC（Quad Level Cell，四层式储存），层数越多NAND容量越大，但是性能、可靠性、寿命越差，但是大容量诱惑、以及各种辅助技术加持下，MLC淘汰了SLC，TLC又淘汰了MLC，成为了主流，估计在不久将来QLC会代替TLC。
除了使用MLC、TLC增加存储密度外，NAND在过去10年里还使用3D NAND技术去提高单位面积芯片的存储密度，最大限度榨干晶圆的空间。3D NAND原理很简单，就是把存储单元垂直地叠加在一起，层数越多，自然同样面积芯片存储密度越高，在2013年8月，三星运用了10nm工艺制成了首个3D V-NAND，拉开了3D NAND序幕。
闪存应用与未来
在今天闪存已经淘汰了光盘，把HDD逼到一角，成为了主流存储技术，比如说SSD，在过去两年时间里AMD、英特尔陆续推出了Zen3、12代酷睿悉尼一代处理器，普及了PCIe 4.0接口，尤其搭配12代酷睿的Z690主板，往往能提供3、4条PCIe 4.0的M.2插槽，吸引用户购买PCIe 4.0 SSD。铠侠PRO SE10 PCIe4.0固态硬盘使用了铠侠原厂颗粒，提供了1TB、2TB容量，顺序读写速度分别达到了7300MB/s、6400MB/s，能够很好满足游戏用户、视频工作者的高性能需求。
铠侠闪存广泛应用在电脑、智能手机、游戏主机、车载系统、可穿戴设备、数据中心、音乐各个领域，帮助用户更为高效、可靠地去存储数据，与我们息息相关，也在改变着我们的生活。在年初，铠侠与西部数据联合开发出162层NAND的第6代BiCS 3D NAND闪存，进一步闪存的性能与存储密度，未来可期。
本文就为大家讲解到这里，希望对大家有所帮助。
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